项目     

 太阳能单晶硅片

 生长方式    

  CZ

 导电类型

 P

 掺杂剂    

 硼B

 晶向     

 <100>

 电阻率（Ω.cm）      

 0.5-3/1-3/3-6

 电阻率径向不均匀性    

 ≤10%

 直径（mm）      

 150±0.5/203±0.5 

 切方规格（mm）     

 125*125/156*156

 少子寿命（цs）      

 ≥10

 氧含量（atoms/cm3）     

 ≤1×1018 

 碳含量（atoms/cm3）       TD>

 ≤5×1016 

 位错密度（сm–2） 

 ≤3000

 硅片形态      

 切片 

 硅片厚度（цm）

200

 厚度公差（цm）      

 ±20

 总厚度偏差（цm）     

 ≤30

 弯曲度（цm）          

 ≤50

 表面质量 

 无孔洞、无裂纹、 
无氧化花纹及用户其他要求